IXFN20N120P
Modul; samostatný tranzistor; 1,2kV; 20A; SOT227B; Idm: 50A; 595W
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXFN20N120P
Symbol TME:
IXFN20N120P
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 1,2kV | |
Prúd drainu | 20A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 570mΩ | |
Impulzný prúd kolektora | 50A | |
Rozptýlenie energie | 595W | |
Technológia | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 193nC | |
Čas zotavenia | 300ns | |
Napätie gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto37.11 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXFN20N120PPočet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
17 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 13.85 EURHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 17.02 EUR
Čistá cena pre množstvá od 3 ks - 13.20 EURHrubá cena pre množstvá od 3 ks - 16.24 EUR
Čistá cena pre množstvá od 10 ks - 13.17 EURHrubá cena pre množstvá od 10 ks - 16.20 EUR
Produkt dostupný len do vyčerpania skladových zásob
Spôsob balenia výrobcomTuba = 10 ks