IXFN210N20P
Modul; samostatný tranzistor; 200V; 188A; SOT227B; Idm: 600A; 1070W
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXFN210N20P
Symbol TME:
IXFN210N20P
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 200V | |
Prúd drainu | 188A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 10,5mΩ | |
Impulzný prúd kolektora | 600A | |
Rozptýlenie energie | 1,07kW | |
Technológia | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 255nC | |
Čas zotavenia | 200ns | |
Napätie gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto37.01 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXFN210N20PPočet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
291 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 41.09 USDHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 50.54 USD
Čistá cena pre množstvá od 10 ks - 39.57 USDHrubá cena pre množstvá od 10 ks - 48.67 USD
Čistá cena pre množstvá od 20 ks - 38.17 USDHrubá cena pre množstvá od 20 ks - 46.94 USD
Čistá cena pre množstvá od 50 ks - 36.64 USDHrubá cena pre množstvá od 50 ks - 45.07 USD
Čistá cena pre množstvá od 100 ks - 35.24 USDHrubá cena pre množstvá od 100 ks - 43.34 USD
Spôsob balenia výrobcomTuba = 10 ks