IXFN26N100P
Modul; samostatný tranzistor; 1kV; 23A; SOT227B; priskrutkovaním
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXFN26N100P
Symbol TME:
IXFN26N100P
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 1kV | |
Prúd drainu | 23A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 390mΩ | |
Impulzný prúd kolektora | 65A | |
Rozptýlenie energie | 595W | |
Technológia | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 197nC | |
Čas zotavenia | 300ns | |
Napätie gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto37.04 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXFN26N100PPočet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
6 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 41.92 USDHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 51.56 USD
Čistá cena pre množstvá od 3 ks - 37.00 USDHrubá cena pre množstvá od 3 ks - 45.51 USD
Čistá cena pre množstvá od 10 ks - 33.26 USDHrubá cena pre množstvá od 10 ks - 40.91 USD
Produkt dostupný len do vyčerpania skladových zásob
Spôsob balenia výrobcomTuba = 10 ks