IXFN30N120P
Modul; samostatný tranzistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; Idm: 75A; 890W
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXFN30N120P
Symbol TME:
IXFN30N120P
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 1,2kV | |
Prúd drainu | 30A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 0,35Ω | |
Impulzný prúd kolektora | 75A | |
Rozptýlenie energie | 890W | |
Technológia | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 310nC | |
Čas zotavenia | 300ns | |
Napätie gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto36.6 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXFN30N120PPočet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 69.82 EURHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 85.88 EUR
Čistá cena pre množstvá od 3 ks - 61.73 EURHrubá cena pre množstvá od 3 ks - 75.92 EUR
Čistá cena pre množstvá od 10 ks - 55.44 EURHrubá cena pre množstvá od 10 ks - 68.18 EUR
Spôsob balenia výrobcomTuba = 10 ks