IXFN32N100P
Modul; samostatný tranzistor; 1kV; 27A; SOT227B; priskrutkovaním
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXFN32N100P
Symbol TME:
IXFN32N100P
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 1kV | |
Prúd drainu | 27A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 0,32Ω | |
Impulzný prúd kolektora | 75A | |
Rozptýlenie energie | 690W | |
Technológia | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 225nC | |
Čas zotavenia | 300ns | |
Napätie gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto37.01 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N100PPočet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 35.66 USDHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 43.86 USD
Čistá cena pre množstvá od 3 ks - 33.05 USDHrubá cena pre množstvá od 3 ks - 40.66 USD
Čistá cena pre množstvá od 10 ks - 31.43 USDHrubá cena pre množstvá od 10 ks - 38.66 USD
Spôsob balenia výrobcomTuba = 10 ks