IXFN32N120P
Modul; samostatný tranzistor; 1,2kV; 32A; SOT227B; Idm: 100A; 1000W
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXFN32N120P
Symbol TME:
IXFN32N120P
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 1,2kV | |
Prúd drainu | 32A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 0,31Ω | |
Impulzný prúd kolektora | 100A | |
Rozptýlenie energie | 1kW | |
Technológia | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 360nC | |
Čas zotavenia | 300ns | |
Napätie gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto37.27 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N120PPočet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 95.01 USDHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 116.87 USD
Čistá cena pre množstvá od 3 ks - 83.93 USDHrubá cena pre množstvá od 3 ks - 103.23 USD
Čistá cena pre množstvá od 10 ks - 75.41 USDHrubá cena pre množstvá od 10 ks - 92.75 USD
Produkt ťažko dostupný
Spôsob balenia výrobcomTuba = 10 ks