IXFN40N110P
Modul; samostatný tranzistor; 1,1kV; 34A; SOT227B; Idm: 100A; 890W
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXFN40N110P
Symbol TME:
IXFN40N110P
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 1,1kV | |
Prúd drainu | 34A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 0,26Ω | |
Impulzný prúd kolektora | 100A | |
Rozptýlenie energie | 890W | |
Technológia | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 310nC | |
Čas zotavenia | 300ns | |
Napätie gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto35.8 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXFN40N110PPočet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
1 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 26.42 USDHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 32.49 USD
Produkt dostupný len do vyčerpania skladových zásob
Spôsob balenia výrobcomTuba = 10 ks