IXFN55N50
Modul; samostatný tranzistor; 500V; 55A; SOT227B; priskrutkovaním
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXFN55N50
Symbol TME:
IXFN55N50
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 500V | |
Prúd drainu | 55A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 80mΩ | |
Impulzný prúd kolektora | 220A | |
Rozptýlenie energie | 625W | |
Technológia | HiPerFET™ | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 330nC | |
Čas zotavenia | 250ns | |
Napätie gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto36.7 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXFN55N50Počet kusov (Mnohonásobnosť: 300)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 300 ks - 29.50 EURHrubá cena pre množstvá od 300 ks - 36.29 EUR