IXFN80N50P
Modul; samostatný tranzistor; 500V; 66A; SOT227B; priskrutkovaním
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXFN80N50P
Symbol TME:
IXFN80N50P
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 500V | |
Prúd drainu | 66A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 65mΩ | |
Impulzný prúd kolektora | 200A | |
Rozptýlenie energie | 700W | |
Technológia | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 195nC | |
Čas zotavenia | 200ns | |
Napätie gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto30 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N50PPočet kusov (Mnohonásobnosť: 300)
0 na sklade v TME
Produkt na zvláštnu objednávku
Spôsob balenia výrobcomTuba = 10 ks