IXFN82N60P
Modul; samostatný tranzistor; 600V; 72A; SOT227B; priskrutkovaním
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXFN82N60P
Symbol TME:
IXFN82N60P
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 600V | |
Prúd drainu | 72A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 75mΩ | |
Impulzný prúd kolektora | 200A | |
Rozptýlenie energie | 1,04kW | |
Technológia | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 240nC | |
Čas zotavenia | 200ns | |
Napätie gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto29.69 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60PPočet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 43.35 USDHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 53.32 USD
Čistá cena pre množstvá od 10 ks - 35.52 USDHrubá cena pre množstvá od 10 ks - 43.69 USD
Čistá cena pre množstvá od 100 ks - 33.29 USDHrubá cena pre množstvá od 100 ks - 40.94 USD
Spôsob balenia výrobcomTuba = 10 ks