IXFN82N60Q3
Modul; samostatný tranzistor; 600V; 66A; SOT227B; priskrutkovaním
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXFN82N60Q3
Symbol TME:
IXFN82N60Q3
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 600V | |
Prúd drainu | 66A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 75mΩ | |
Impulzný prúd kolektora | 240A | |
Rozptýlenie energie | 960W | |
Technológia | HiPerFET™, Q3-Class | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 275nC | |
Čas zotavenia | 300ns | |
Napätie gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto27.3 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60Q3Počet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 49.50 EURHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 60.88 EUR
Čistá cena pre množstvá od 3 ks - 46.56 EURHrubá cena pre množstvá od 3 ks - 57.27 EUR
Čistá cena pre množstvá od 10 ks - 44.22 EURHrubá cena pre množstvá od 10 ks - 54.38 EUR
Spôsob balenia výrobcomTuba = 10 ks