IXGN200N170
Modul: IGBT; samostatný tranzistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXGN200N170
Symbol TME:
IXGN200N170
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | IGBT | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Max. záverné napätie | 1,7kV | |
Kolektorový prúd | 160A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Napätie hradlo - emitor | ±20V | |
Impulzný kolektorový prúd | 1,05kA | |
Rozptýlenie energie | 1,25kW | |
Technológia | NPT | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto30 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Moduly IGBT IXYS,
* IXGN200N170Počet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 65.61 USDHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 80.70 USD
Čistá cena pre množstvá od 5 ks - 60.48 USDHrubá cena pre množstvá od 5 ks - 74.39 USD
Čistá cena pre množstvá od 10 ks - 58.36 USDHrubá cena pre množstvá od 10 ks - 71.78 USD