IXTN120P20T
Modul; samostatný tranzistor; -200V; -106A; SOT227B; Idm: -400A
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXTN120P20T
Symbol TME:
IXTN120P20T
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | -200V | |
Prúd drainu | -106A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 30mΩ | |
Impulzný prúd kolektora | -400A | |
Rozptýlenie energie | 830W | |
Technológia | TrenchP™ | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 740nC | |
Čas zotavenia | 300ns | |
Napätie gate-source | ±15V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto29.575 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXTN120P20TPočet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 57.31 EURHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 70.48 EUR
Čistá cena pre množstvá od 3 ks - 50.61 EURHrubá cena pre množstvá od 3 ks - 62.24 EUR
Čistá cena pre množstvá od 10 ks - 45.50 EURHrubá cena pre množstvá od 10 ks - 55.97 EUR