IXTN170P10P
Modul; samostatný tranzistor; -100V; -170A; SOT227B; Idm: -510A
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXTN170P10P
Symbol TME:
IXTN170P10P
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | -100V | |
Prúd drainu | -170A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 14mΩ | |
Impulzný prúd kolektora | -510A | |
Rozptýlenie energie | 890W | |
Technológia | PolarP™ | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 240nC | |
Čas zotavenia | 176ns | |
Napätie gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto30 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXTN170P10PPočet kusov (Mnohonásobnosť: 300)
0 na sklade v TME
Produkt na zvláštnu objednávku