IXTN200N10L2
Modul; samostatný tranzistor; 100V; 178A; SOT227B; Idm: 500A; 830W
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXTN200N10L2
Symbol TME:
IXTN200N10L2
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 100V | |
Prúd drainu | 178A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 11mΩ | |
Impulzný prúd kolektora | 500A | |
Rozptýlenie energie | 830W | |
Technológia | Linear L2™ | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 540nC | |
Čas zotavenia | 245ns | |
Napätie gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto29.6 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXTN200N10L2
0 na sklade v TME
Počet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 52.19 USDHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 64.20 USD
Čistá cena pre množstvá od 100 ks - 46.25 USDHrubá cena pre množstvá od 100 ks - 56.88 USD
Spôsob balenia výrobcom:Tuba = 20 ks