STGAP2SICSANCTR
IC: driver; ovládač hradiel SiC MOSFET; SO8; -4÷4A; 1,7kV; Ch: 1
Výrobca: STMicroelectronics
Označenie výrobcu:
STGAP2SICSANCTR
Symbol TME:
STGAP2SICSANCTR
Špecifikácie
Výrobca | STMicroelectronics | |
Typ integrovaného obvodu | driver | |
Druh integrovaného obvodu | ovládač hradiel SiC MOSFET | |
Kryt | SO8 | |
Výstupný prúd | -4...4A | |
Výstupné napätie | 1,7kV | |
Počet kanálov | 1 | |
Vlastnosti integrovaných obvodov | galvanické oddelenie | |
Montáž | SMD | |
Pracovná teplota | -40...125°C | |
Druh balenia | páska, rolka |
Napájacie napätie
- 3,1...5,25V
Hmotnosť brutto1 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Drivery MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSANCTRPočet kusov (Mnohonásobnosť: 2 500)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 2500 ks - 1.01 USDHrubá cena pre množstvá od 2500 ks - 1.25 USD