STGSH80HB65DAG
Modul: IGBT; tranzistor/tranzistor; polomost IGBT; Urmax: 650V
Výrobca: STMicroelectronics
Označenie výrobcu:
STGSH80HB65DAG
Symbol TME:
STGSH80HB65DAG
Špecifikácie
Výrobca | STMicroelectronics | |
Typ polovodičového modulu | IGBT | |
Štruktúra polovodiča | tranzistor/tranzistor | |
Topológia | polomost IGBT | |
Max. záverné napätie | 650V | |
Kolektorový prúd | 68A | |
Kryt | ACEPACK SMIT | |
Elektrická montáž | SMT | |
Napätie hradlo - emitor | ±20V | |
Impulzný kolektorový prúd | 269A | |
Rozptýlenie energie | 250W |
Hmotnosť brutto2 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Moduly IGBT STMicroelectronics,
* STGSH80HB65DAGPočet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 21.97 USDHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 27.02 USD