APTM120U10SCAVG
Модул; диод SiC/транзистор; 1,2kV; 86A; SP6; завинтване; Idm: 464A
Производител: MICROCHIP TECHNOLOGY
Означение на производителя:
APTM120U10SCAVG
Символ TME:
APTM120U10SCAVG
Спецификация
Производител | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | ||
Структура на полупроводника | диод SiC/транзистор | ||
Напрежение дрейн - сорс | 1,2kV | ||
Ток на дрейна | 86A | ||
Кутия | SP6 | ||
Топология | единичен транзистор + успореден диод + последователен диод | ||
Електрически монтаж | завинтване | ||
Съпротивление във включено състояние | 0,12Ω | ||
Ток на дрейна при импулс | 464A | ||
Разсейвана мощност | 3,29kW | ||
Технология | POWER MOS 7®, SiC | ||
Напрежение гейт-сорс | ±30V | ||
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло300 g
Сертификати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. е вносител на продуктите на тази марка
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120U10SCAVGБройки (Кратност: 3)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 3 бр. - 268.97 EURБрутна цена за количества от 3 бр. - 322.76 EUR
Офертата е достъпна за влезли в системата клиенти