STGAP2SICSANCTR
IC: driver; гейтов драйвер SiC MOSFET; SO8; -4÷4A; 1,7kV; Ch: 1
Производител: STMicroelectronics
Означение на производителя:
STGAP2SICSANCTR
Символ TME:
STGAP2SICSANCTR
Спецификация
Производител | STMicroelectronics | |
Тип интегрална схема | driver | |
Вид интегрална схема | гейтов драйвер SiC MOSFET | |
Кутия | SO8 | |
Изходен ток | -4...4A | |
Изходно напрежение | 1,7kV | |
Брой канали | 1 | |
Свойства на интегралните схеми | галванично разделяне | |
Монтаж | SMD | |
Работна температура | -40...125°C | |
Вид опаковане | лента, ролка |
Захранващо напрежение
- 3,1...5,25V
Бруто тегло1 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Драйвъри MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSANCTRБройки (Кратност: 2 500)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 2500 бр. - 1.02 USDБрутна цена за количества от 2500 бр. - 1.22 USD