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ONSEMI in der Kategorie IGBT-Module

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NVH660S75L4SPFC
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 660A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH660S75L4SPFC
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 656.94 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 781.76 USD
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Anzahl Stück (Vielfache: 4)
NXH450N65L4Q2F2S1G
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter
Kennzeichnung des Herstellers: NXH450N65L4Q2F2S1G
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 149.51 USDBruttopreis für Mengen von 36 st - 177.92 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 36)
NVH820S75L4SPB
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 820A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH820S75L4SPB
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 709.04 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 843.76 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 4)
NXH600N65L4Q2F2SG
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter
Kennzeichnung des Herstellers: NXH600N65L4Q2F2SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 166.50 USDBruttopreis für Mengen von 36 st - 198.14 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 36)
NVH640S75L4SPB
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 640A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH640S75L4SPB
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 609.37 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 725.15 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 4)
NVH820S75L4SPC
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 820A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH820S75L4SPC
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 709.04 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 843.76 USD
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Anzahl Stück (Vielfache: 4)
NVH950S75L4SPB
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 950A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH950S75L4SPB
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 948.95 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 1 129.25 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 4)
NXH100B120H3Q0SG-0
Modul: IGBT; Ic: 61A
Kennzeichnung des Herstellers: NXH100B120H3Q0SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 24 st - 58.03 USDBruttopreis für Mengen von 24 st - 69.06 USD
576 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 24)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
NXH160T120L2Q2F2S1
Modul: IGBT; Diode/Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 181A; PIM56
Kennzeichnung des Herstellers: NXH160T120L2Q2F2S1G
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 121.02 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 144.02 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
NXH200T120H3Q2F2-0
Modul: IGBT; Ic: 330A; PIM
Kennzeichnung des Herstellers: NXH200T120H3Q2F2STNG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 143.20 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 170.41 USD
396 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
NXH200T120H3Q2F2-1
Modul: IGBT; Ic: 330A; PIM
Kennzeichnung des Herstellers: NXH200T120H3Q2F2SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 143.20 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 170.41 USD
192 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
NXH240B120H3Q1P1G
Modul: IGBT; SiC-Diode/Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 92A; PIM32
Kennzeichnung des Herstellers: NXH240B120H3Q1P1G
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 21 st - 100.36 USDBruttopreis für Mengen von 21 st - 119.42 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 21)
NXH240B120H3Q1PG-0
Modul: IGBT; Ic: 68A; PIM32
Kennzeichnung des Herstellers: NXH240B120H3Q1PG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 21 st - 89.19 USDBruttopreis für Mengen von 21 st - 106.13 USD
504 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 21)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
NXH400N100H4Q2F2PG
Modul: IGBT; SiC-Diode/Transistor; Urmax: 1kV; Ic: 400A; PIM42; SiC
Kennzeichnung des Herstellers: NXH400N100H4Q2F2PG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 258.77 USDBruttopreis für Mengen von 36 st - 307.93 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 36)
NXH40B120MNQ0SNG-0
NXH40B120MNQ0SNG
Kennzeichnung des Herstellers: NXH40B120MNQ0SNG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 24 st - 83.65 USDBruttopreis für Mengen von 24 st - 99.54 USD
576 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 24)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
NXH450B100H4Q2F2-0
Modul: IGBT; Ic: 101A; PIM
Kennzeichnung des Herstellers: NXH450B100H4Q2F2SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 159.09 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 189.32 USD
216 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
NXH450B100H4Q2F2PG
Modul: IGBT; SiC-Diode/Transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit
Kennzeichnung des Herstellers: NXH450B100H4Q2F2PG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 176.61 USDBruttopreis für Mengen von 36 st - 210.16 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 36)
NXH75M65L4Q1PTG
Modul: IGBT; Diode/Transistor; Urmax: 650V; Ic: 59A; PIM27; SiC
Kennzeichnung des Herstellers: NXH75M65L4Q1PTG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 21 st - 69.32 USDBruttopreis für Mengen von 21 st - 82.49 USD
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Anzahl Stück (Vielfache: 21)
NXH800H120L7QDSG
Modul: IGBT; Diode/Transistor; IGBT Halbbrücke,NTC Thermistor
Kennzeichnung des Herstellers: NXH800H120L7QDSG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 24 st - 234.37 USDBruttopreis für Mengen von 24 st - 278.90 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 24)
NXH80B120MNQ0SNG-0
NXH80B120MNQ0SNG
Kennzeichnung des Herstellers: NXH80B120MNQ0SNG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 24 st - 63.56 USDBruttopreis für Mengen von 24 st - 75.63 USD
192 im externen Lager
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