APT50GR120JD30
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APT50GR120JD30
Simbolo TME:
APT50GR120JD30
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo di modulo a semiconduttore | IGBT | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione invertita max. | 1,2kV | |
Corrente del collettore | 50A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Tensione porta - emettitore | ±30V | |
Corrente del collettore nel impulso | 200A | |
Tecnologia | NPT, NPT Ultra Fast IGBT, POWER MOS 8® | |
Genere di confezione | tubo | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo30 g
Certificati
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* APT50GR120JD30Quantità (Molteplicità: 1)
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