G3R20MT12N
Modulo; transistor singolo; 1,2kV; 74A; SOT227B; avvitabile; 365W
Produttore: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
G3R20MT12N
Simbolo TME:
G3R20MT12N
Specifica
Produttore | GeneSiC SEMICONDUCTOR | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | ||
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | ||
Tensione drenaggio-fonte | 1,2kV | ||
Corrente di drenaggio | 74A | ||
Cassa | SOT227B | ||
Montaggio elettrico | avvitabile | ||
Polarizzazione | unipolare | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 20mΩ | ||
Corrente di drain pulsata | 240A | ||
Potenza dissipata | 365W | ||
Tecnologia | G3R™, SiC | ||
Genere di canale | arricchito | ||
Tensione porta-sorgente | -5...15V | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo35.39 g
Certificati
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* G3R20MT12NQuantità (Molteplicità: 1)
105 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 1 pz - 54.58 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 66.59 USD
Prezzo netto per quantità da 5 pz - 52.44 USDPrezzo lordo per quantità da 5 pz - 63.98 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 51.45 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 62.77 USD
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz