G3R20MT12N
Modulo; transistor singolo; 1,2kV; 74A; SOT227B; avvitabile; 365W
Produttore: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
G3R20MT12N
Simbolo TME:
G3R20MT12N
Specifica
Produttore | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 1,2kV | |
Corrente di drenaggio | 74A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 20mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 240A | |
Potenza dissipata | 365W | |
Tecnologia | G3R™, SiC | |
Genere di canale | arricchito | |
Tensione porta-sorgente | -5...15V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo35.39 g
Certificati
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* G3R20MT12NQuantità (Molteplicità: 1)
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz