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GD300HFX65C2S

Modulo: IGBT; transistor/transistor; semi ponte IGBT; Urmax: 650V

Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
GD300HFX65C2S
Simbolo TME:
GD300HFX65C2S

Specifica

Produttore
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
transistor/transistor
Topologia
semi ponte IGBT
Tensione invertita max.
650V
Corrente del collettore
300A
Cassa
C2 62mm
Montaggio elettrico
avvitabile, FASTON connettori
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
600A
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo300 g
Certificati
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GD300HFX65C2S
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Prezzo netto per quantità da 12 pz - 80.45 USDPrezzo lordo per quantità da 12 pz - 98.14 USD
Quantità (Molteplicità: 12)