IXGN200N60B3
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXGN200N60B3
Simbolo TME:
IXGN200N60B3
Specifica
Produttore | IXYS | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | IGBT | ||
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | ||
Tensione invertita max. | 0,6kV | ||
Corrente del collettore | 200A | ||
Cassa | SOT227B | ||
Montaggio elettrico | avvitabile | ||
Tensione porta - emettitore | ±20V | ||
Corrente del collettore nel impulso | 1,2kA | ||
Potenza dissipata | 830W | ||
Tecnologia | GenX3™, PT | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo37.1 g
Certificati
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* IXGN200N60B3Quantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 52.20 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 63.68 USD
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz