APT33GF120B2RDQ2G
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 30A; 357W; T-Max
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Aanduiding van de fabrikant:
APT33GF120B2RDQ2G
Symbool TME:
APT33GF120B2RDQ2G
Specificatie
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type transistor | IGBT | |
Technologie | NPT | |
Collector-emitterspanning | 1,2kV | |
Stroom van de collector | 30A | |
Vermogensdissipatie | 357W | |
Behuizing | T-Max | |
Spanning poort - verzender | ±30V | |
Stroom van collector in impuls | 75A | |
Montage | THT | |
Lading op de poort | 170nC | |
Soort verpakking | buis | |
Aansluitingstijd | 31ns | |
Ontkoppelingstijd | 355ns | |
Eigenschappen van elementen van halfgeleiders | integrated anti-parallel diode |
Brutogewicht6 g
Certificaten
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. is importeur van de producten van dit merk
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT THT transistors MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT33GF120B2RDQ2GAantal (Veelvoud: 1)
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 26.31 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 31.83 USD
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 23.68 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 28.65 USD
Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 20.79 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 25.16 USD
Aanbod beschikbaar voor ingelogde klanten