BGH50N65HS1

Name: BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1
Brand: BASiC SEMICONDUCTOR
SKU: BGH50N65HS1
Availability: InStock

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3

Producent: BASiC SEMICONDUCTOR

Aanduiding van de fabrikant:

BGH50N65HS1

Symbool TME:

BGH50N65HS1

Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 9.54 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 11.54 EUR

Nettoprijs voor hoeveelheden van 5 st - 8.58 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 5 st - 10.38 EUR

Nettoprijs voor hoeveelheden van 30 st - 7.57 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 30 st - 9.16 EUR

Nettoprijs voor hoeveelheden van 150 st - 6.35 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 150 st - 7.68 EUR

Nettoprijs voor hoeveelheden van 600 st - 6.12 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 600 st - 7.41 EUR

Aantal (Veelvoud: 1)

Het product is alleen beschikbaar zolang de voorraad strekt

Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 30 st

Producent	BASiC SEMICONDUCTOR
Type transistor	IGBT
Technologie	Field Stop, SiC SBD, Trench
Collector-emitterspanning	650V
Stroom van de collector	50A
Vermogensdissipatie	357W
Behuizing	TO247-3
Spanning poort - verzender	±20V
Stroom van collector in impuls	200A
Montage	THT
Lading op de poort	308nC
Soort verpakking	buis
Aansluitingstijd	54ns
Ontkoppelingstijd	256ns
Eigenschappen van elementen van halfgeleiders	integrated anti-parallel diode