+1 500 000 producten

7000 pakketten

+300 000 klanten uit 150 landen

QuickBuy Favorieten
Winkelwagen

GD100PIY120C6SN

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Aanduiding van de fabrikant:
GD100PIY120C6SN
Symbool TME:
GD100PIY120C6SN

Specificatie

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type halfgeleidermodule
IGBT
Structuur van semiconductor
diode/transistor
Topologie
3-fasige diodebrug, 3-fasige IGBT-brug, OE-uitgang, boost chopper, NTC-thermistor
Omgekeerde spanning max.
1,2kV
Stroom van de collector
100A
Behuizing
C6 62mm
Elektrische montage
Press-in PCB
Spanning poort - verzender
±20V
Stroom van collector in impuls
200A
Technologie
Advanced Trench FS IGBT
Mechanische montage
geschroefd
Brutogewicht200 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD100PIY120C6SN
0 op voorraad bij TME
Aantal (Veelvoud: 10)
Produkt op speciale bestelling