+1 500 000 producten

7000 pakketten

+300 000 klanten uit 150 landen

QuickBuy Favorieten
Winkelwagen

GD10PJX65F1S

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A

Productfamilie

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Aanduiding van de fabrikant:
GD10PJX65F1S
Symbool TME:
GD10PJX65F1S

Specificatie

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type halfgeleidermodule
IGBT
Structuur van semiconductor
diode/transistor
Topologie
3-fasige diodebrug, 3-fasige IGBT-brug, OE-uitgang, boost chopper, NTC-thermistor
Omgekeerde spanning max.
650V
Stroom van de collector
10A
Behuizing
F1.1
Elektrische montage
Press-in PCB
Spanning poort - verzender
±20V
Stroom van collector in impuls
20A
Technologie
Trench FS IGBT
Mechanische montage
geschroefd
Brutogewicht24.99 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD10PJX65F1S
19 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 35.47 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 42.92 USD
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 31.38 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 37.96 USD
Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 28.21 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 34.14 USD
Nettoprijs voor hoeveelheden van 25 st - 26.34 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 25 st - 31.87 USD
Aantal (Veelvoud: 1)