GD10PJX65L2S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJX65L2S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD10PJX65L2S
Availability: OutOfStock

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Aanduiding van de fabrikant:

GD10PJX65L2S

Symbool TME:

GD10PJX65L2S

Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 28.54 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 34.53 USD

Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 25.17 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 30.46 USD

Nettoprijs voor hoeveelheden van 12 st - 22.62 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 12 st - 27.37 USD

Nettoprijs voor hoeveelheden van 24 st - 21.11 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 24 st - 25.55 USD

Aantal (Veelvoud: 1)

Producent	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type halfgeleidermodule	IGBT
Structuur van semiconductor	diode/transistor
Topologie	3-fasige diodebrug, 3-fasige IGBT-brug, OE-uitgang, boost chopper, NTC-thermistor
Omgekeerde spanning max.	650V
Stroom van de collector	10A
Behuizing	L2.5
Elektrische montage	Press-in PCB
Spanning poort - verzender	±20V
Stroom van collector in impuls	20A
Technologie	Trench FS IGBT
Mechanische montage	geschroefd