+1 500 000 producten

7000 pakketten

+300 000 klanten uit 150 landen

QuickBuy Favorieten
Winkelwagen

GD10PJY120F1S

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1

Productfamilie

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Aanduiding van de fabrikant:
GD10PJY120F1S
Symbool TME:
GD10PJY120F1S

Specificatie

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type halfgeleidermodule
IGBT
Structuur van semiconductor
diode/transistor
Topologie
3-fasige diodebrug, 3-fasige IGBT-brug, OE-uitgang, boost chopper, NTC-thermistor
Omgekeerde spanning max.
1,2kV
Stroom van de collector
10A
Behuizing
F1.1
Elektrische montage
Press-in PCB
Spanning poort - verzender
±20V
Stroom van collector in impuls
20A
Technologie
Advanced Trench FS IGBT
Mechanische montage
geschroefd
Brutogewicht26 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD10PJY120F1S
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 30.60 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 37.03 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 27.00 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 32.68 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 24.31 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 29.41 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 25 st - 22.70 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 25 st - 27.47 EUR
Aantal (Veelvoud: 1)
Minimaal aantal dat besteld kan worden: 1.
Veelvoud: 1.