GD15PJY120F1S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD15PJY120F1S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD15PJY120F1S
Availability: InStock

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Aanduiding van de fabrikant:

GD15PJY120F1S

Symbool TME:

GD15PJY120F1S

Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 40.76 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 49.32 USD

Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 35.99 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 43.54 USD

Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 32.38 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 39.17 USD

Nettoprijs voor hoeveelheden van 25 st - 30.16 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 25 st - 36.50 USD

Aantal (Veelvoud: 1)

Minimaal aantal dat besteld kan worden: 1.
Veelvoud: 1.

Verpakkingsmethode door de fabrikantSchaaltje = 25 st

Producent	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type halfgeleidermodule	IGBT
Structuur van semiconductor	diode/transistor
Topologie	3-fasige diodebrug, 3-fasige IGBT-brug, OE-uitgang, boost chopper, NTC-thermistor
Omgekeerde spanning max.	1,2kV
Stroom van de collector	15A
Behuizing	F1.1
Elektrische montage	Press-in PCB
Spanning poort - verzender	±20V
Stroom van collector in impuls	30A
Technologie	Advanced Trench FS IGBT
Mechanische montage	geschroefd