+1 500 000 producten

7000 pakketten

+300 000 klanten uit 150 landen

QuickBuy Favorieten
Winkelwagen

GD15PJY120L2S

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2

Productfamilie

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Aanduiding van de fabrikant:
GD15PJY120L2S
Symbool TME:
GD15PJY120L2S

Specificatie

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type halfgeleidermodule
IGBT
Structuur van semiconductor
diode/transistor
Topologie
3-fasige diodebrug, 3-fasige IGBT-brug, OE-uitgang, boost chopper, NTC-thermistor
Omgekeerde spanning max.
1,2kV
Stroom van de collector
15A
Behuizing
L2.2
Elektrische montage
Press-in PCB
Spanning poort - verzender
±20V
Stroom van collector in impuls
30A
Technologie
Advanced Trench FS IGBT
Mechanische montage
geschroefd
Brutogewicht24.34 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD15PJY120L2S
15 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 32.31 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 39.08 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 28.60 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 34.61 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 12 st - 25.70 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 12 st - 31.10 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 24 st - 23.91 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 24 st - 28.92 EUR
Aantal (Veelvoud: 1)
Minimaal aantal dat besteld kan worden: 1.
Veelvoud: 1.
Verpakkingsmethode door de fabrikantSchaaltje = 24 st