GD20PJX65F1S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD20PJX65F1S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD20PJX65F1S
Availability: OutOfStock

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Aanduiding van de fabrikant:

GD20PJX65F1S

Symbool TME:

GD20PJX65F1S

Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 35.00 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 42.36 EUR

Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 31.00 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 37.51 EUR

Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 27.81 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 33.64 EUR

Nettoprijs voor hoeveelheden van 25 st - 26.00 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 25 st - 31.47 EUR

Aantal (Veelvoud: 1)

Minimaal aantal dat besteld kan worden: 1.
Veelvoud: 1.

Producent	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type halfgeleidermodule	IGBT
Structuur van semiconductor	diode/transistor
Topologie	3-fasige diodebrug, 3-fasige IGBT-brug, OE-uitgang, boost chopper, NTC-thermistor
Omgekeerde spanning max.	650V
Stroom van de collector	20A
Behuizing	F1.1
Elektrische montage	Press-in PCB
Spanning poort - verzender	±20V
Stroom van collector in impuls	40A
Technologie	Trench FS IGBT
Mechanische montage	geschroefd