Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD30PJX65F1S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD30PJX65F1S
Price: 33.52 EUR
Availability: OutOfStock

+1 500 000 producten

7000 pakketten

+300 000 klanten uit 150 landen

Bel +31 40 737 04 57

Klantregistratie

QuickBuy Favorieten

Gegevens worden verwerkt

Uw kredietlimiet is overschreden. De bestelling wordt geaccepteerd, maar zal niet worden gerealiseerd. De leveringstermijn voor de bestelde artikelen wordt ook niet bepaald. Neem contact op met TME.

De bewerking is succesvol voltooid.

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het nog eens.

Producent	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type halfgeleidermodule	IGBT
Structuur van semiconductor	diode/transistor
Topologie	3-fasige diodebrug, 3-fasige IGBT-brug, OE-uitgang, boost chopper, NTC-thermistor
Omgekeerde spanning max.	650V
Stroom van de collector	30A
Behuizing	F1.1
Elektrische montage	Press-in PCB
Spanning poort - verzender	±20V
Stroom van collector in impuls	60A
Technologie	Trench FS IGBT
Mechanische montage	geschroefd

GD30PJX65F1S

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A

Specificatie