+1 500 000 producten

7000 pakketten

+300 000 klanten uit 150 landen

QuickBuy Favorieten
Winkelwagen

GD50PJX65L3S

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Aanduiding van de fabrikant:
GD50PJX65L3S
Symbool TME:
GD50PJX65L3S

Specificatie

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type halfgeleidermodule
IGBT
Structuur van semiconductor
diode/transistor
Topologie
3-fasige diodebrug, 3-fasige IGBT-brug, OE-uitgang, boost chopper, NTC-thermistor
Omgekeerde spanning max.
650V
Stroom van de collector
50A
Behuizing
L3.0
Elektrische montage
Press-in PCB
Spanning poort - verzender
±20V
Stroom van collector in impuls
100A
Technologie
Trench FS IGBT
Mechanische montage
geschroefd
Brutogewicht39 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD50PJX65L3S
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 53.11 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 64.26 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 4 st - 47.00 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 4 st - 56.87 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 16 st - 42.21 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 16 st - 51.06 EUR
Aantal (Veelvoud: 1)