+1 500 000 producten

7000 pakketten

+300 000 klanten uit 150 landen

QuickBuy Favorieten
Winkelwagen

GD650HFX170P1S

Module: IGBT; transistor/transistor; halfbrug IGBT; Urmax: 1700V

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Aanduiding van de fabrikant:
GD650HFX170P1S
Symbool TME:
GD650HFX170P1S

Specificatie

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type halfgeleidermodule
IGBT
Structuur van semiconductor
transistor/transistor
Topologie
halfbrug IGBT
Omgekeerde spanning max.
1,7kV
Stroom van de collector
650A
Behuizing
P1.0
Elektrische montage
geschroefd
Spanning poort - verzender
±20V
Stroom van collector in impuls
1,3kA
Technologie
Trench FS IGBT
Mechanische montage
geschroefd
Brutogewicht825 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD650HFX170P1S
0 op voorraad bij TME
Aantal (Veelvoud: 9)
Produkt op speciale bestelling