+1 500 000 producten

7000 pakketten

+300 000 klanten uit 150 landen

QuickBuy Favorieten
Winkelwagen

GD800HFY120C3S

Module: IGBT; transistor/transistor; halfbrug IGBT; Urmax: 1200V


Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Aanduiding van de fabrikant:
GD800HFY120C3S
Symbool TME:
GD800HFY120C3S

Specificatie

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type halfgeleidermodule
IGBT
Structuur van semiconductor
transistor/transistor
Topologie
halfbrug IGBT
Omgekeerde spanning max.
1,2kV
Stroom van de collector
800A
Behuizing
C3 130mm
Elektrische montage
geschroefd
Spanning poort - verzender
±20V
Stroom van collector in impuls
1,6kA
Technologie
Advanced Trench FS IGBT
Mechanische montage
geschroefd
Brutogewicht1.5 kg
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD800HFY120C3S
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 8 st - 319.65 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 8 st - 386.78 EUR
Aantal (Veelvoud: 8)
Minimaal aantal dat besteld kan worden: 8.
Veelvoud: 8.