IXBN75N170
Module: IGBT; enkele transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXBN75N170
Symbool TME:
IXBN75N170
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | IGBT | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Omgekeerde spanning max. | 1,7kV | |
Stroom van de collector | 75A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Spanning poort - verzender | ±20V | |
Stroom van collector in impuls | 680A | |
Vermogensdissipatie | 625W | |
Technologie | BiMOSFET™ | |
Eigenschappen van elementen van halfgeleiders | hoogspannings | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht37.09 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules IXYS,
* IXBN75N170Aantal (Veelvoud: 1)
1 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 113.82 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 137.72 USD
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 102.27 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 123.74 USD
Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 95.45 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 115.49 USD
Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st