IXDN55N120D1
Module: IGBT; enkele transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 62A; SOT227B
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXDN55N120D1
Symbool TME:
IXDN55N120D1
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | IGBT | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Omgekeerde spanning max. | 1,2kV | |
Stroom van de collector | 62A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Spanning poort - verzender | ±20V | |
Stroom van collector in impuls | 124A | |
Vermogensdissipatie | 450W | |
Technologie | NPT | |
Eigenschappen van elementen van halfgeleiders | hoogspannings | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht30 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules IXYS
* IXDN55N120D1Gebruik de onderstaande tabel met specificaties om vergelijkbare producten te vinden
Het product is uit de handel genomen
Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st