IXDN75N120
Module: IGBT; enkele transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 150A; SOT227B
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXDN75N120
Symbool TME:
IXDN75N120
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | IGBT | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Omgekeerde spanning max. | 1,2kV | |
Stroom van de collector | 150A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Spanning poort - verzender | ±20V | |
Stroom van collector in impuls | 190A | |
Vermogensdissipatie | 660W | |
Technologie | NPT | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht34.72 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules IXYS,
* IXDN75N120
0 op voorraad bij TME
Aantal (Veelvoud: 1)
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 39.79 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 48.14 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 37.28 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 45.11 EUR
Verpakkingsmethode door de fabrikant:Koker = 10 st