+1 500 000 producten

6000 pakketten

+300 000 klanten uit 150 landen

Wij informeren dat op 26.07.2026 tussen 02:00 - 04:00 (CEST) kunnen er problemen zijn met de toegang tot de online service en bestellingen. Onze excuses voor het ongemak.

Gegevens worden verwerkt

Uw kredietlimiet is overschreden. De bestelling wordt geaccepteerd, maar zal niet worden gerealiseerd. De leveringstermijn voor de bestelde artikelen wordt ook niet bepaald. Neem contact op met TME.

De bewerking is succesvol voltooid.

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het nog eens.

Producent	IXYS
Type halfgeleidermodule	IGBT
Structuur van semiconductor	enkele transistor
Omgekeerde spanning max.	1,2kV
Stroom van de collector	150A
Behuizing	SOT227B
Elektrische montage	geschroefd
Spanning poort - verzender	±20V
Stroom van collector in impuls	190A
Vermogensdissipatie	660W
Technologie	NPT
Mechanische montage	geschroefd

IXDN75N120

Module: IGBT; enkele transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 150A; SOT227B

Specificatie