IXFN200N10P
Module; enkele transistor; 100V; 200A; SOT227B; geschroefd; 680W
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXFN200N10P
Symbool TME:
IXFN200N10P
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | MOSFET transistor | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Spanning dren-bron | 100V | |
Drainstroom | 200A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Polarisatie | unipolair | |
Weerstand in geleidingstoestand | 7,5mΩ | |
Gepulseerde drainstroom | 400A | |
Vermogensdissipatie | 680W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Soort kanaal | verrijkt | |
Lading op de poort | 235nC | |
Tijd gereedheid | 150ns | |
Gate-source spanning | ±30V | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht37.04 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN200N10PAantal (Veelvoud: 1)
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 27.13 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 32.83 USD
Nettoprijs voor hoeveelheden van 5 st - 24.11 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 5 st - 29.17 USD
Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 23.26 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 28.14 USD
Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st