IXFN200N10P
Module; enkele transistor; 100V; 200A; SOT227B; geschroefd; 680W
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXFN200N10P
Symbool TME:
IXFN200N10P
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | MOSFET transistor | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Spanning dren-bron | 100V | |
Drainstroom | 200A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Polarisatie | unipolair | |
Weerstand in geleidingstoestand | 7,5mΩ | |
Gepulseerde drainstroom | 400A | |
Vermogensdissipatie | 680W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Soort kanaal | verrijkt | |
Lading op de poort | 235nC | |
Tijd gereedheid | 150ns | |
Gate-source spanning | ±30V | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht37.04 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN200N10PAantal (Veelvoud: 1)
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 23.45 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 28.37 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 5 st - 20.83 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 5 st - 25.21 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 20.10 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 24.32 EUR
Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st