IXFN20N120P
Module; enkele transistor; 1,2kV; 20A; SOT227B; geschroefd; 595W
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXFN20N120P
Symbool TME:
IXFN20N120P
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | MOSFET transistor | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Spanning dren-bron | 1,2kV | |
Drainstroom | 20A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Polarisatie | unipolair | |
Weerstand in geleidingstoestand | 570mΩ | |
Gepulseerde drainstroom | 50A | |
Vermogensdissipatie | 595W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Soort kanaal | verrijkt | |
Lading op de poort | 193nC | |
Tijd gereedheid | 300ns | |
Gate-source spanning | ±40V | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht37.11 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN20N120PAantal (Veelvoud: 1)
17 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 13.84 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 16.75 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 13.20 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 15.98 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 13.17 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 15.94 EUR
Het product is alleen beschikbaar zolang de voorraad strekt
Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st