IXFN26N100P
Module; enkele transistor; 1kV; 23A; SOT227B; geschroefd; Idm: 65A
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXFN26N100P
Symbool TME:
IXFN26N100P
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | MOSFET transistor | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Spanning dren-bron | 1kV | |
Drainstroom | 23A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Polarisatie | unipolair | |
Weerstand in geleidingstoestand | 390mΩ | |
Gepulseerde drainstroom | 65A | |
Vermogensdissipatie | 595W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Soort kanaal | verrijkt | |
Lading op de poort | 197nC | |
Tijd gereedheid | 300ns | |
Gate-source spanning | ±40V | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht37.04 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN26N100PAantal (Veelvoud: 1)
6 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 41.95 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 50.76 USD
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 37.02 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 44.80 USD
Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 33.28 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 40.27 USD
Het product is alleen beschikbaar zolang de voorraad strekt
Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st