IXFN26N120P
Module; enkele transistor; 1,2kV; 23A; SOT227B; geschroefd; 695W
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXFN26N120P
Symbool TME:
IXFN26N120P
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | MOSFET transistor | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Spanning dren-bron | 1,2kV | |
Drainstroom | 23A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Polarisatie | unipolair | |
Weerstand in geleidingstoestand | 0,5Ω | |
Gepulseerde drainstroom | 60A | |
Vermogensdissipatie | 695W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Soort kanaal | verrijkt | |
Lading op de poort | 255nC | |
Tijd gereedheid | 300ns | |
Gate-source spanning | ±40V | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht37.12 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN26N120PAantal (Veelvoud: 1)
7 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 37.45 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 45.31 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 33.06 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 40.00 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 29.70 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 35.94 EUR
Het product is alleen beschikbaar zolang de voorraad strekt
Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st