IXFN30N120P
Module; enkele transistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; geschroefd; 890W
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXFN30N120P
Symbool TME:
IXFN30N120P
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | MOSFET transistor | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Spanning dren-bron | 1,2kV | |
Drainstroom | 30A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Polarisatie | unipolair | |
Weerstand in geleidingstoestand | 0,35Ω | |
Gepulseerde drainstroom | 75A | |
Vermogensdissipatie | 890W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Soort kanaal | verrijkt | |
Lading op de poort | 310nC | |
Tijd gereedheid | 300ns | |
Gate-source spanning | ±40V | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht36.6 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN30N120PAantal (Veelvoud: 1)
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 69.97 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 84.67 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 61.87 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 74.86 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 55.56 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 67.23 EUR
Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st