IXFN32N120P
Module; enkele transistor; 1,2kV; 32A; SOT227B; geschroefd; 1000W
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXFN32N120P
Symbool TME:
IXFN32N120P
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | MOSFET transistor | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Spanning dren-bron | 1,2kV | |
Drainstroom | 32A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Polarisatie | unipolair | |
Weerstand in geleidingstoestand | 0,31Ω | |
Gepulseerde drainstroom | 100A | |
Vermogensdissipatie | 1kW | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Soort kanaal | verrijkt | |
Lading op de poort | 360nC | |
Tijd gereedheid | 300ns | |
Gate-source spanning | ±40V | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht37.27 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N120PAantal (Veelvoud: 1)
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 81.49 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 98.60 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 71.98 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 87.09 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 64.67 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 78.25 EUR
Moeilijk beschikbaar produkt
Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st