IXFN360N10T

Name: IXYS IXFN360N10T
Brand: IXYS
SKU: IXFN360N10T
Availability: InStock

Module; enkele transistor; 100V; 360A; SOT227B; geschroefd; 830W

Producent: IXYS

Aanduiding van de fabrikant:

IXFN360N10T

Symbool TME:

IXFN360N10T

Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 19.00 GBPBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 22.99 GBP

Nettoprijs voor hoeveelheden van 5 st - 18.32 GBPBrutoprijs voor hoeveelheden van 5 st - 22.16 GBP

Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 17.55 GBPBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 21.23 GBP

Nettoprijs voor hoeveelheden van 20 st - 17.16 GBPBrutoprijs voor hoeveelheden van 20 st - 20.77 GBP

Nettoprijs voor hoeveelheden van 50 st - 16.44 GBPBrutoprijs voor hoeveelheden van 50 st - 19.90 GBP

Aantal (Veelvoud: 1)

Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 stDoos = 60 st

Producent	IXYS
Type halfgeleidermodule	MOSFET transistor
Structuur van semiconductor	enkele transistor
Spanning dren-bron	100V
Drainstroom	360A
Behuizing	SOT227B
Elektrische montage	geschroefd
Polarisatie	unipolair
Weerstand in geleidingstoestand	2,6mΩ
Gepulseerde drainstroom	900A
Vermogensdissipatie	830W
Technologie	GigaMOS™, HiPerFET™
Soort kanaal	verrijkt
Lading op de poort	525nC
Tijd gereedheid	130ns
Gate-source spanning	±30V
Mechanische montage	geschroefd