IXFN360N15T2
Module; enkele transistor; 150V; 310A; SOT227B; geschroefd; 1070W
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXFN360N15T2
Symbool TME:
IXFN360N15T2
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | MOSFET transistor | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Spanning dren-bron | 150V | |
Drainstroom | 310A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Polarisatie | unipolair | |
Weerstand in geleidingstoestand | 4mΩ | |
Gepulseerde drainstroom | 900A | |
Vermogensdissipatie | 1,07kW | |
Technologie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Soort kanaal | verrijkt | |
Lading op de poort | 715nC | |
Tijd gereedheid | 150ns | |
Gate-source spanning | ±30V | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht37.17 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN360N15T2Aantal (Veelvoud: 300)
0 op voorraad bij TME
Produkt op speciale bestelling
Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st