IXFN38N100P
Module; enkele transistor; 1kV; 38A; SOT227B; geschroefd; Idm: 120A
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXFN38N100P
Symbool TME:
IXFN38N100P
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | MOSFET transistor | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Spanning dren-bron | 1kV | |
Drainstroom | 38A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Polarisatie | unipolair | |
Weerstand in geleidingstoestand | 0,21Ω | |
Gepulseerde drainstroom | 120A | |
Vermogensdissipatie | 1kW | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Soort kanaal | verrijkt | |
Lading op de poort | 0,35µC | |
Tijd gereedheid | 300ns | |
Gate-source spanning | ±40V | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht37.24 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN38N100PAantal (Veelvoud: 1)
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 39.71 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 48.05 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 37.22 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 45.03 EUR
Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st