IXFN40N110P
Module; enkele transistor; 1,1kV; 34A; SOT227B; geschroefd; 890W
Producent: IXYS
Aanduiding van de fabrikant:
IXFN40N110P
Symbool TME:
IXFN40N110P
Specificatie
Producent | IXYS | |
Type halfgeleidermodule | MOSFET transistor | |
Structuur van semiconductor | enkele transistor | |
Spanning dren-bron | 1,1kV | |
Drainstroom | 34A | |
Behuizing | SOT227B | |
Elektrische montage | geschroefd | |
Polarisatie | unipolair | |
Weerstand in geleidingstoestand | 0,26Ω | |
Gepulseerde drainstroom | 100A | |
Vermogensdissipatie | 890W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Soort kanaal | verrijkt | |
Lading op de poort | 310nC | |
Tijd gereedheid | 300ns | |
Gate-source spanning | ±40V | |
Mechanische montage | geschroefd |
Brutogewicht35.8 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN40N110PAantal (Veelvoud: 1)
1 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 22.71 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 27.48 EUR
Het product is alleen beschikbaar zolang de voorraad strekt
Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st